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Latvian Journal of Physics and Technical Sciences
Volume 51 (2014): Numero 3 (June 2014)
Accesso libero
Investigation of Silicon Carbide Polytypes by Raman Spectroscopy
G. Chikvaidze
G. Chikvaidze
,
N. Mironova-Ulmane
N. Mironova-Ulmane
,
A. Plaude
A. Plaude
e
O. Sergeev
O. Sergeev
| 16 lug 2014
Latvian Journal of Physics and Technical Sciences
Volume 51 (2014): Numero 3 (June 2014)
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Pubblicato online:
16 lug 2014
Pagine:
51 - 57
DOI:
https://doi.org/10.2478/lpts-2014-0019
© by G. Chikvaidze
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
G. Chikvaidze
Institute of Solid State Physics, University of Latvia, 8 Ķengaraga Str., LV-1063, Rīga, LATVIA
N. Mironova-Ulmane
Institute of Solid State Physics, University of Latvia, 8 Ķengaraga Str., LV-1063, Rīga, LATVIA
A. Plaude
Institute of Solid State Physics, University of Latvia, 8 Ķengaraga Str., LV-1063, Rīga, LATVIA
O. Sergeev
V.E.Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Science of the Ukraine, 41 Nauki Ave., 03028, Kyiv, the UKRAINE