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Measurement Science Review
Volume 16 (2016): Numero 5 (October 2016)
Accesso libero
Automatic Parameter Extraction Technique for MOS Structures by C-V Characterization Including the Effects of Interface States
D. V. Ryazantsev
D. V. Ryazantsev
e
V. P. Grudtsov
V. P. Grudtsov
| 26 ott 2016
Measurement Science Review
Volume 16 (2016): Numero 5 (October 2016)
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Pubblicato online:
26 ott 2016
Pagine:
266 - 272
Ricevuto:
02 mar 2016
Accettato:
06 ott 2016
DOI:
https://doi.org/10.1515/msr-2016-0033
Parole chiave
C-V measurement
,
parameter extraction
,
interface states
,
quantum simulation
,
MOS
© 2016 D. V. Ryazantsev et al., published by De Gruyter Open
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.