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Materials Science-Poland
Volume 35 (2017): Numero 4 (December 2017)
Accesso libero
Inhomogeneous GaInNAs quantum wells: their properties and utilization for improving of p-i-n and p-n junction photodetectors
D. Pucicki
D. Pucicki
| 20 mar 2018
Materials Science-Poland
Volume 35 (2017): Numero 4 (December 2017)
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Pubblicato online:
20 mar 2018
Pagine:
893 - 902
Ricevuto:
23 ott 2017
Accettato:
12 dic 2017
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2017-0110
Parole chiave
dilute nitrides
,
quantum well
,
structural inhomogeneities
,
photodetectors
© 2018
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
D. Pucicki
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technolgy, Janiszewskiego 11/17, 50-372
Wroclaw, Poland