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Materials Science-Poland
Volume 35 (2017): Numero 3 (Ottobre 2017)
Accesso libero
Heavily Si-doped InAs photoluminescence measurements
Kacper Grodecki
Kacper Grodecki
Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908
Warsaw, Poland
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Grodecki, Kacper
,
Krzysztof Murawski
Krzysztof Murawski
Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908
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Murawski, Krzysztof
,
Aleksandra Henig
Aleksandra Henig
Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908
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Henig, Aleksandra
,
Krystian Michalczewski
Krystian Michalczewski
Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908
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Michalczewski, Krystian
,
Djalal Benyahia
Djalal Benyahia
Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908
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Benyahia, Djalal
,
Łukasz Kubiszyn
Łukasz Kubiszyn
Kaliskiego St., 00-908 Warsaw, Poland 2Vigo System S.A., 129/133 Poznañska St., 05-850
Ożarów Mazowiecki, Poland
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Kubiszyn, Łukasz
e
Piotr Martyniuk
Piotr Martyniuk
Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908
Warsaw, Poland
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Martyniuk, Piotr
31 ott 2017
Materials Science-Poland
Volume 35 (2017): Numero 3 (Ottobre 2017)
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Pubblicato online:
31 ott 2017
Pagine:
647 - 650
Ricevuto:
03 apr 2017
Accettato:
30 ago 2017
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2017-0075
Parole chiave
In As
,
photoluminescence
,
Burstein-Moss
,
heavy doping
© 2017
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
