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Materials Science-Poland
Volumen 35 (2017): Edición 3 (October 2017)
Acceso abierto
Heavily Si-doped InAs photoluminescence measurements
Kacper Grodecki
Kacper Grodecki
,
Krzysztof Murawski
Krzysztof Murawski
,
Aleksandra Henig
Aleksandra Henig
,
Krystian Michalczewski
Krystian Michalczewski
,
Djalal Benyahia
Djalal Benyahia
,
Łukasz Kubiszyn
Łukasz Kubiszyn
y
Piotr Martyniuk
Piotr Martyniuk
| 31 oct 2017
Materials Science-Poland
Volumen 35 (2017): Edición 3 (October 2017)
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Publicado en línea:
31 oct 2017
Páginas:
647 - 650
Recibido:
03 abr 2017
Aceptado:
30 ago 2017
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2017-0075
Palabras clave
In As
,
photoluminescence
,
Burstein-Moss
,
heavy doping
© 2017
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.