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International Journal on Smart Sensing and Intelligent Systems
Édition 6 (2013): Edition 3 (Janvier 2013)
Accès libre
The Effects of MOS Layers on Sensing Properties of MOS Photosensor
Wagah F. Mohammed
Wagah F. Mohammed
College of Electronics Engineering, Mosul University
Mosul, Iraq
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Mohammed M. Ali
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College of Electronics Engineering, Mosul University
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Al-Tikriti, Munther N.
et
Kalid Kaleel
Kalid Kaleel
Faculty of Engineering, Philadelphia University
Amman, Jordan
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Kaleel, Kalid
05 juin 2013
International Journal on Smart Sensing and Intelligent Systems
Édition 6 (2013): Edition 3 (Janvier 2013)
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Publié en ligne:
05 juin 2013
Pages:
1102 - 1110
Reçu:
22 mars 2013
Accepté:
30 avr. 2013
DOI:
https://doi.org/10.21307/ijssis-2017-581
Mots clés
Schottky Barrier Diode
,
Photosensor
,
MOS Photosensor
,
Silicon Photosensor:
© 2013 Wagah F. Mohammed et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.