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International Journal on Smart Sensing and Intelligent Systems
Volumen 6 (2013): Edición 3 (Enero 2013)
Acceso abierto
The Effects of MOS Layers on Sensing Properties of MOS Photosensor
Wagah F. Mohammed
Wagah F. Mohammed
College of Electronics Engineering, Mosul University
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Kalid Kaleel
Kalid Kaleel
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Kaleel, Kalid
05 jun 2013
International Journal on Smart Sensing and Intelligent Systems
Volumen 6 (2013): Edición 3 (Enero 2013)
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Publicado en línea:
05 jun 2013
Páginas:
1102 - 1110
Recibido:
22 mar 2013
Aceptado:
30 abr 2013
DOI:
https://doi.org/10.21307/ijssis-2017-581
Palabras clave
Schottky Barrier Diode
,
Photosensor
,
MOS Photosensor
,
Silicon Photosensor:
© 2013 Wagah F. Mohammed et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.