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Time-dependent gate breakdown reliability and gate leakage improvements in p-GaN MOS-HEMTs using Al2O3 gate dielectric

Tsung-I Liao

Tsung-I Liao

Program on Semiconductor Manufacturing Technology, Academy of Innovative Semiconductor and Sustainable Manufacturing, National Cheng Kung UniversityTainan City, Taiwan
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Liao, Tsung-I
, 
Sheng-Po Chang

Sheng-Po Chang

Department of Microelectronics Engineering, National Kaohsiung University of Science and TechnologyKaohsiung City 81157, Taiwan
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Chang, Sheng-Po
 y 
Shoou-Jinn Chang

Shoou-Jinn Chang

Institute of Microelectronics & Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung UniversityTainan City, Taiwan
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Chang, Shoou-Jinn
  
30 jun 2025
Time-dependent gate breakdown reliability and gate leakage improvements in p-GaN MOS-HEMTs using Al2O3 gate dielectric's Cover Image
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Categoría del artículo: Research Article
Publicado en línea: 30 jun 2025
Páginas: 143 - 152
Recibido: 11 jun 2025
Aceptado: 04 ago 2025
DOI: https://doi.org/10.2478/msp-2025-0025
Palabras clave
© 2025 Tsung-I Liao, published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Idioma:
Inglés
Calendario de la edición:
4 veces al año
Temas de la revista:
Ciencia de los materiales, Ciencia de los materiales, otros, Nanomateriales, Materiales funcionales e inteligentes, Características y propiedades de los materiales
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