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Journal of Electrical Engineering
Volumen 65 (2014): Edición 5 (September 2014)
Acceso abierto
Correlation of Selected Problems During Gan Movpe Epitaxy on si Substrates with in–Situ Interferometer Observation
Tomasz Szymański
Tomasz Szymański
,
Mateusz Wośko
Mateusz Wośko
,
Bogdan Paszkiewicz
Bogdan Paszkiewicz
,
Kornelia Indykiewicz
Kornelia Indykiewicz
y
Regina Paszkiewicz
Regina Paszkiewicz
| 05 nov 2014
Journal of Electrical Engineering
Volumen 65 (2014): Edición 5 (September 2014)
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Publicado en línea:
05 nov 2014
Páginas:
294 - 298
Recibido:
15 jun 2014
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2014-0047
Palabras clave
Gallium nitride
,
GaN on Si
,
MOVPE
,
transition AlGaN
,
in-situ observation
© Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Tomasz Szymański
The Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroc law University of Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroc law, Poland
Mateusz Wośko
The Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroc law University of Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroc law, Poland
Bogdan Paszkiewicz
The Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroc law University of Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroc law, Poland
Kornelia Indykiewicz
The Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroc law University of Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroc law, Poland
Regina Paszkiewicz
The Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroc law University of Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroc law, Poland