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Materials Science-Poland
Volumen 36 (2018): Edición 2 (June 2018)
Acceso abierto
High Pressure Raman Study of Layered Semiconductor Tlgase
2
S.H. Jabarov
S.H. Jabarov
,
V.B. Aliyeva
V.B. Aliyeva
,
T.G. Mammadov
T.G. Mammadov
,
A.I. Mammadov
A.I. Mammadov
,
S.E. Kichanov
S.E. Kichanov
,
L.S. Dubrovinsky
L.S. Dubrovinsky
,
S.S. Babayev
S.S. Babayev
,
E.G. Pashayeva
E.G. Pashayeva
y
N.T. Dang
N.T. Dang
| 25 jun 2018
Materials Science-Poland
Volumen 36 (2018): Edición 2 (June 2018)
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Publicado en línea:
25 jun 2018
Páginas:
203 - 208
Recibido:
18 jul 2017
Aceptado:
15 mar 2018
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2018-0040
Palabras clave
layered semiconductor
,
high pressure
,
Raman study
© 2018 S.H. Jabarov et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.