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Materials Science-Poland
Band 29 (2011): Heft 1 (March 2011)
Uneingeschränkter Zugang
Electrically active defects in SiC Schottky barrier diodes
Łukasz Gelczuk
Łukasz Gelczuk
,
Maria Dąbrowska-szata
Maria Dąbrowska-szata
und
Zdzisław Synowiec
Zdzisław Synowiec
| 03. Aug. 2011
Materials Science-Poland
Band 29 (2011): Heft 1 (March 2011)
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Online veröffentlicht:
03. Aug. 2011
Seitenbereich:
70 - 75
DOI:
https://doi.org/10.2478/s13536-011-0012-x
Schlüsselwörter
SiC
,
Schottky diode
,
deep-level defect
,
DLTS
© 2011 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Łukasz Gelczuk
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Poland
Maria Dąbrowska-szata
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Poland
Zdzisław Synowiec
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Poland