Uneingeschränkter Zugang

The bandgap energy of the dilute bismuth GaBixSb1−x alloy depending on temperature


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Chuan-Zhen Zhao
Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
Xue-Lian Qi
Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
eISSN:
2083-134X
Sprache:
Englisch
Zeitrahmen der Veröffentlichung:
4 Hefte pro Jahr
Fachgebiete der Zeitschrift:
Materialwissenschaft, andere, Nanomaterialien, Funktionelle und Intelligente Materialien, Charakterisierung und Eigenschaften von Materialien