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Materials Science-Poland
Band 37 (2019): Heft 3 (September 2019)
Uneingeschränkter Zugang
Investigation, analysis and comparison of current-voltage characteristics for Au/Ni/GaN Schottky structure using I-V-T simulation
A. Sadoun
A. Sadoun
,
S. Mansouri
S. Mansouri
,
M. Chellali
M. Chellali
,
N. Lakhdar
N. Lakhdar
,
A. Hima
A. Hima
und
Z. Benamara
Z. Benamara
| 18. Okt. 2019
Materials Science-Poland
Band 37 (2019): Heft 3 (September 2019)
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Online veröffentlicht:
18. Okt. 2019
Seitenbereich:
496 - 502
Eingereicht:
05. Jan. 2019
Akzeptiert:
25. Apr. 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/msp-2019-0041
Schlüsselwörter
Schottky diode
,
Au/Ni/n-GaN
,
temperature effects
,
I-V characteristics
,
Cheung and Chattopadhyay method
,
SILVACO-TCAD
© 2019 A. Sadoun et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
A. Sadoun
Laboratoire de Micro-Electronique Appliquée, Université Djillali Liables de Sidi Bel Abbes
Sidi Bel Abbes, Algeria
S. Mansouri
Laboratoire de Micro-Electronique Appliquée, Université Djillali Liables de Sidi Bel Abbes
Sidi Bel Abbes, Algeria
M. Chellali
Laboratoire de Micro-Electronique Appliquée, Université Djillali Liables de Sidi Bel Abbes
Sidi Bel Abbes, Algeria
N. Lakhdar
University of El Oued, Fac. Technology, Department of electrical engineering
El Oued, Algeria
A. Hima
University of El Oued, Fac. Technology, Department of electrical engineering
El Oued, Algeria
Z. Benamara
Laboratoire de Micro-Electronique Appliquée, Université Djillali Liables de Sidi Bel Abbes
Sidi Bel Abbes, Algeria