Uneingeschränkter Zugang

Electronic structure and effective masses of TlInSe2 under pressure


Zitieren

G.S. Orudzhev
Institute of Physics ANAS,Baku, Azerbaijan
Azerbaijan Technical University,Baku, Azerbaijan
N.A. Ismayilova
Institute of Physics ANAS,Baku, Azerbaijan
V.N. Jafarova
Institute of Physics ANAS,Baku, Azerbaijan
eISSN:
2083-134X
Sprache:
Englisch
Zeitrahmen der Veröffentlichung:
4 Hefte pro Jahr
Fachgebiete der Zeitschrift:
Materialwissenschaft, andere, Nanomaterialien, Funktionelle und Intelligente Materialien, Charakterisierung und Eigenschaften von Materialien