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Materials Science-Poland
Band 35 (2017): Heft 3 (October 2017)
Uneingeschränkter Zugang
Heavily Si-doped InAs photoluminescence measurements
Kacper Grodecki
Kacper Grodecki
,
Krzysztof Murawski
Krzysztof Murawski
,
Aleksandra Henig
Aleksandra Henig
,
Krystian Michalczewski
Krystian Michalczewski
,
Djalal Benyahia
Djalal Benyahia
,
Łukasz Kubiszyn
Łukasz Kubiszyn
und
Piotr Martyniuk
Piotr Martyniuk
| 31. Okt. 2017
Materials Science-Poland
Band 35 (2017): Heft 3 (October 2017)
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Online veröffentlicht:
31. Okt. 2017
Seitenbereich:
647 - 650
Eingereicht:
03. Apr. 2017
Akzeptiert:
30. Aug. 2017
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2017-0075
Schlüsselwörter
In As
,
photoluminescence
,
Burstein-Moss
,
heavy doping
© 2017
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Kacper Grodecki
Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908
Warsaw, Poland
Krzysztof Murawski
Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908
Warsaw, Poland
Aleksandra Henig
Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908
Warsaw, Poland
Krystian Michalczewski
Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908
Warsaw, Poland
Djalal Benyahia
Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908
Warsaw, Poland
Łukasz Kubiszyn
Kaliskiego St., 00-908 Warsaw, Poland 2Vigo System S.A., 129/133 Poznañska St., 05-850
Ożarów Mazowiecki, Poland
Piotr Martyniuk
Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908
Warsaw, Poland