Uneingeschränkter Zugang

A hierarchy of hydrodynamic models for silicon carbide semiconductors


Zitieren

Orazio Muscato
Dipartimento di Matematica e Informatica Università degli Studi diCatania, Italy
Vincenza Di Stefano
Dipartimento di Matematica e Informatica Università degli Studi diCatania, Italy
eISSN:
2038-0909
Sprache:
Englisch
Zeitrahmen der Veröffentlichung:
Volume Open
Fachgebiete der Zeitschrift:
Mathematik, Numerik und wissenschaftliches Rechnen, Angewandte Mathematik