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Journal of Electrical Engineering
Volume 66 (2015): Numero 4 (July 2015)
Accesso libero
Low–Frequency Noise Measurements Used For Quality Assessment Of GaSb Based Laser Diodes Prepared By Molecular Beam Epitaxy
Zdeněk Chobola
Zdeněk Chobola
,
Miroslav Luňák
Miroslav Luňák
,
Jiří Vaněk
Jiří Vaněk
,
Eduard Hulicius
Eduard Hulicius
e
Ivo Kusák
Ivo Kusák
| 19 set 2015
Journal of Electrical Engineering
Volume 66 (2015): Numero 4 (July 2015)
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Pubblicato online:
19 set 2015
Pagine:
226 - 230
Ricevuto:
13 nov 2014
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2015-0036
Parole chiave
molecular beam epitaxy
,
excess nois
,
lasers diodes
,
vertical cavity surface emitting
,
gasb substrate
© Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.