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Applied Mathematics and Nonlinear Sciences
Volume 4 (2019): Numero 1 (January 2019)
Accesso libero
Multiplicative topological descriptors of Silicon carbide
Abaid ur Rehman Virk
Abaid ur Rehman Virk
,
Tanveer Abbas
Tanveer Abbas
e
Wasim Khalid
Wasim Khalid
| 24 giu 2019
Applied Mathematics and Nonlinear Sciences
Volume 4 (2019): Numero 1 (January 2019)
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Pubblicato online:
24 giu 2019
Pagine:
181 - 190
Ricevuto:
28 feb 2019
Accettato:
08 apr 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/AMNS.2019.1.00018
Parole chiave
Topological index
,
molecular graph
,
Silicon carbide
© 2019 Abaid ur Rehman Virk et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Fig. 1
Unit Cell
Fig. 2
Si2C3−III[5,1]
Fig. 3
Si2C3−III[5,2]
Fig. 4
Si2C3−III[5,4]
Fig. 5
Unit Cell
Fig. 6
SiC3−III[5,1]
Fig. 7
SiC3−III[5,2]
Fig. 8
SiC3−III[5,4]
Edge partition of Si2C3−III[p,q]
(
d
u
,d
v
)
Frequency
(1,3)
2
(2,2)
2p+2
(2,3)
8p+8q-12
(3,3)
15pq-10p-13q+8
Edge partition of SiC3−III[p,q]
(
d
u
, d
v
)
Frequency
(1,2)
2
(1,3)
1
(2,2)
3p+2q-3
(2,3)
6p+4q-8
(3,3)
12pq-12p-8q+8