Accès libre

First-principles study of doping and distribution of Si in TiC

H. Ding

H. Ding

Recherchez cet auteur sur
Sciendo|Google Scholar
Ding, H.
, 
T. Ci

T. Ci

Recherchez cet auteur sur
Sciendo|Google Scholar
Ci, T.
, 
K. Chu

K. Chu

Recherchez cet auteur sur
Sciendo|Google Scholar
Chu, K.
 et 
J. Wang

J. Wang

Recherchez cet auteur sur
Sciendo|Google Scholar
Wang, J.
  
20 avr. 2013
First-principles study of doping and distribution of Si in TiC's Cover Image
À propos de cet article
Article précédent
Article suivant
Citez
Télécharger la couverture
Publié en ligne: 20 avr. 2013
Pages: 259 - 263
DOI: https://doi.org/10.2478/s13536-012-0095-z
Mots clés
© 2013 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Langue:
Anglais
Périodicité:
4 fois par an
Sujets de la revue:
Sciences des matériaux, Sciences des matériaux, autres, Nanomatériaux, Matériaux fonctionnels et intelligents, Caractérisation et propriétés des matériaux
RSS Feed de la revue