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Materials Science-Poland
Édition 37 (2019): Edition 3 (September 2019)
Accès libre
Role of RF power on physical properties of RF magnetron sputtered GaN/p-Si(1 0 0) thin film
Asim Mantarci
Asim Mantarci
et
Mutlu Kundakçi
Mutlu Kundakçi
| 18 oct. 2019
Materials Science-Poland
Édition 37 (2019): Edition 3 (September 2019)
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Publié en ligne:
18 oct. 2019
Pages:
454 - 464
Reçu:
23 juil. 2018
Accepté:
01 mars 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/msp-2019-0052
Mots clés
RF magnetron sputtering
,
thin film
,
III-nitride
,
GaN
,
semiconductor
© 2019 Asim Mantarci et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Asim Mantarci
Department of Physics, Faculty of Art and Science, Muş Alparslan University
Muş, Turkey
Mutlu Kundakçi
Department of Physics, Faculty of Science, Atatürk University
Erzurum, Turkey