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Journal of Electrical Engineering
Édition 66 (2015): Edition 5 (September 2015)
Accès libre
Fabrication and Characterization of N-Type Zinc Oxide/P-Type Boron Doped Diamond Heterojunction
Marián Marton
Marián Marton
,
Miroslav Mikolášek
Miroslav Mikolášek
,
Jaroslav Bruncko
Jaroslav Bruncko
,
Ivan Novotný
Ivan Novotný
,
Tibor Ižák
Tibor Ižák
,
Marian Vojs
Marian Vojs
,
Halyna Kozak
Halyna Kozak
,
Marián Varga
Marián Varga
,
Anna Artemenko
Anna Artemenko
et
Alexander Kromka
Alexander Kromka
| 10 nov. 2015
Journal of Electrical Engineering
Édition 66 (2015): Edition 5 (September 2015)
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Publié en ligne:
10 nov. 2015
Pages:
277 - 281
Reçu:
14 juil. 2015
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2015-0045
Mots clés
boron doped diamond
,
zinc oxide
,
Raman spectroscopy
,
bipolar heterostructure
,
wide-bandgap
© Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.