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Journal of Electrical Engineering
Volumen 63 (2012): Edición 6 (November 2012)
Acceso abierto
Improving the ohmic properties of contacts to P–GaN by adding p–type dopants into the metallization layer
Jozef Liday
Jozef Liday
,
Peter Vogrinčič
Peter Vogrinčič
,
Andrej Vincze
Andrej Vincze
,
Juraj Breza
Juraj Breza
y
Ivan Hotový
Ivan Hotový
| 29 dic 2012
Journal of Electrical Engineering
Volumen 63 (2012): Edición 6 (November 2012)
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Publicado en línea:
29 dic 2012
Páginas:
397 - 401
DOI:
https://doi.org/10.2478/v10187-012-0059-x
Palabras clave
p-GaN
,
ohmic contact
,
contact resistivity
,
Au/Ni-Mg(Zn)-O/p-GaN contact structure
,
annealing
,
Auger electron spectra
,
secondary ion mass spectra
This content is open access.