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Materials Science-Poland
Volumen 31 (2013): Edición 4 (October 2013)
Acceso abierto
Electro-optical properties of diluted GaAsN on GaAs grown by APMOVPE
Paulina Kamyczek
Paulina Kamyczek
,
Piotr Bieganski
Piotr Bieganski
,
Ewa Placzek-Popko
Ewa Placzek-Popko
,
Eunika Zielony
Eunika Zielony
,
Lukasz Gelczuk
Lukasz Gelczuk
,
Beata Sciana
Beata Sciana
,
Damian Pucicki
Damian Pucicki
,
Damian Radziewicz
Damian Radziewicz
,
Marek Tlaczala
Marek Tlaczala
,
Krzysztof Kopalko
Krzysztof Kopalko
y
Maria Dabrowska-Szata
Maria Dabrowska-Szata
| 15 dic 2013
Materials Science-Poland
Volumen 31 (2013): Edición 4 (October 2013)
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Publicado en línea:
15 dic 2013
Páginas:
595 - 600
DOI:
https://doi.org/10.2478/s13536-013-0144-2
Palabras clave
GaAs1−xNx
,
I-V
,
C-V
,
transmittance and reflectance spectra
© 2013 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.