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Materials Science-Poland
Volumen 36 (2018): Edición 4 (December 2018)
Acceso abierto
Temperature dependence of the energy band gap of CuSi
2
P
3
semiconductor using PSOPW method
T.G. Abdullah
T.G. Abdullah
,
S.A. Sami
S.A. Sami
y
M.S. Omar
M.S. Omar
| 01 feb 2019
Materials Science-Poland
Volumen 36 (2018): Edición 4 (December 2018)
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Publicado en línea:
01 feb 2019
Páginas:
553 - 562
Recibido:
23 dic 2016
Aceptado:
10 ago 2018
DOI:
https://doi.org/10.2478/msp-2018-0085
Palabras clave
CuSiP
,
ternary semiconductors
,
PSOPW
,
energy gap
,
Debye temperature
© 2018 T.G. Abdullah et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.