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Transport and Telecommunication Journal
Volumen 16 (2015): Edición 3 (September 2015)
Acceso abierto
Employment Of IGBT-Transistors For Bipolar Impulsed Micro-Arc Oxidation
Alexander Krainyukov
Alexander Krainyukov
y
Valery Kutev
Valery Kutev
| 22 jun 2015
Transport and Telecommunication Journal
Volumen 16 (2015): Edición 3 (September 2015)
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Publicado en línea:
22 jun 2015
Páginas:
217 - 223
DOI:
https://doi.org/10.1515/ttj-2015-0020
Palabras clave
micro-arc oxidation
,
insulated gate bipolar transistors
,
high voltage
,
commutation process
,
ballast resistance
© Transport and Telecommunication Institute
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Alexander Krainyukov
Telematics and Logistics Institute, Lomonosova street 1, Riga, LV-1019, Latvia, Phone:+371 67100634, fax: +371 67100660
Valery Kutev
Telematics and Logistics Institute, Lomonosova street 1, Riga, LV-1019, Latvia, Phone:+371 67100634, fax: +371 67100660