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Temperature dependence of the energy band gap of CuSi2P3 semiconductor using PSOPW method

T.G. Abdullah

T.G. Abdullah

Department of Physics, College of Science, Salahaddin University-ErbilKurdistan, Iraq
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Abdullah, T.G.
, 
S.A. Sami

S.A. Sami

Department of Physics, College of Science, Duhok UniversityKurdistan, Iraq
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Sami, S.A.
 und 
M.S. Omar

M.S. Omar

Department of Physics, College of Science, Salahaddin University-ErbilKurdistan, Iraq
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Omar, M.S.
  
01. Feb. 2019
Temperature dependence of the energy band gap of CuSi2P3 semiconductor using PSOPW method's Cover Image
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Online veröffentlicht: 01. Feb. 2019
Seitenbereich: 553 - 562
Eingereicht: 23. Dez. 2016
Akzeptiert: 10. Aug. 2018
DOI: https://doi.org/10.2478/msp-2018-0085
Schlüsselwörter
© 2018 T.G. Abdullah et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Abdullah, T.G.
Department of Physics, College of Science, Salahaddin University-ErbilKurdistan, Iraq
Sami, S.A.
Department of Physics, College of Science, Duhok UniversityKurdistan, Iraq
Omar, M.S.
Department of Physics, College of Science, Salahaddin University-ErbilKurdistan, Iraq
Sprache:
Englisch
Zeitrahmen der Veröffentlichung:
4 Hefte pro Jahr
Fachgebiete der Zeitschrift:
Materialwissenschaft, Materialwissenschaft, andere, Nanomaterialien, Funktionelle und Intelligente Materialien, Charakterisierung und Eigenschaften von Materialien
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