Login
Registrieren
Passwort zurücksetzen
Veröffentlichen & Verteilen
Verlagslösungen
Vertriebslösungen
Themen
Allgemein
Altertumswissenschaften
Architektur und Design
Bibliotheks- und Informationswissenschaft, Buchwissenschaft
Biologie
Chemie
Geowissenschaften
Geschichte
Industrielle Chemie
Informatik
Jüdische Studien
Kulturwissenschaften
Kunst
Linguistik und Semiotik
Literaturwissenschaft
Materialwissenschaft
Mathematik
Medizin
Musik
Pharmazie
Philosophie
Physik
Rechtswissenschaften
Sozialwissenschaften
Sport und Freizeit
Technik
Theologie und Religion
Wirtschaftswissenschaften
Veröffentlichungen
Zeitschriften
Bücher
Konferenzberichte
Verlage
Blog
Kontakt
Suche
EUR
USD
GBP
Deutsch
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Warenkorb
Home
Zeitschriften
Journal of Electrical Engineering
Band 70 (2019): Heft 6 (December 2019)
Uneingeschränkter Zugang
Low-noise and low power CMOS photoreceptor using split-length MOSFET
Jamel Nebhen
Jamel Nebhen
,
Julien Dubois
Julien Dubois
,
Sofiene Mansouri
Sofiene Mansouri
und
Dominique Ginhac
Dominique Ginhac
| 31. Dez. 2019
Journal of Electrical Engineering
Band 70 (2019): Heft 6 (December 2019)
Über diesen Artikel
Vorheriger Artikel
Nächster Artikel
Zusammenfassung
Referenzen
Autoren
Artikel in dieser Ausgabe
Vorschau
PDF
Zitieren
Teilen
Online veröffentlicht:
31. Dez. 2019
Seitenbereich:
480 - 485
Eingereicht:
29. Okt. 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2019-0081
Schlüsselwörter
photo-receptor
,
image sensor
,
low-noise
,
low-power
,
cmos circuit
© 2019 Jamel Nebhen et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.