Login
Registrieren
Passwort zurücksetzen
Veröffentlichen & Verteilen
Verlagslösungen
Vertriebslösungen
Themen
Veröffentlichungen
Zeitschriften
Bücher
Konferenzberichte
Verlage
Blog
Kontakt
Suche
Warenkorb
EUR
USD
GBP
Deutsch
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Home
Zeitschriften
Journal of Electrical Engineering
Band 70 (2019): Heft 7 (December 2019)
Uneingeschränkter Zugang
Black silicon – correlation between microstructure and Raman scattering
Stanislav Jurečka
Stanislav Jurečka
,
Emil Pinčík
Emil Pinčík
,
Kentaro Imamura
Kentaro Imamura
,
Taketoshi Matsumoto
Taketoshi Matsumoto
und
Hikaru Kobayashi
Hikaru Kobayashi
| 28. Sept. 2019
Journal of Electrical Engineering
Band 70 (2019): Heft 7 (December 2019)
Special Issue
Über diesen Artikel
Vorheriger Artikel
Nächster Artikel
Zusammenfassung
Referenzen
Autoren
Artikel in dieser Ausgabe
Vorschau
PDF
Zitieren
Teilen
Online veröffentlicht:
28. Sept. 2019
Seitenbereich:
58 - 64
Eingereicht:
19. März 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2019-0042
Schlüsselwörter
black silicon
,
TEM
,
roughness
,
fractal properties
,
Raman scattering
© 2019 Stanislav Jurečka et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Stanislav Jurečka
Institute of Aurel Stodola, University of Žilina
Liptovský Mikuláš, Slovakia
Emil Pinčík
Institute of Physics SAS,
Bratislava, Slovakia
Kentaro Imamura
The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University
Osaka, Japan
Taketoshi Matsumoto
The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University
Osaka, Japan
Hikaru Kobayashi
The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University
Osaka, Japan