Uneingeschränkter Zugang

Automatic Parameter Extraction Technique for MOS Structures by C-V Characterization Including the Effects of Interface States


Zitieren

D. V. Ryazantsev
Scientific and Manufacturing Complex “Technological Center”, Georgievsky prospect 5, 124498, Zelenograd, Moscow, Russian Federation
V. P. Grudtsov
Scientific and Manufacturing Complex “Technological Center”, Georgievsky prospect 5, 124498, Zelenograd, Moscow, Russian Federation
eISSN:
1335-8871
Sprache:
Englisch
Zeitrahmen der Veröffentlichung:
6 Hefte pro Jahr
Fachgebiete der Zeitschrift:
Technik, Elektrotechnik, Mess-, Steuer- und Regelungstechnik