Login
Registrieren
Passwort zurücksetzen
Veröffentlichen & Verteilen
Verlagslösungen
Vertriebslösungen
Themen
Allgemein
Altertumswissenschaften
Architektur und Design
Bibliotheks- und Informationswissenschaft, Buchwissenschaft
Biologie
Chemie
Geowissenschaften
Geschichte
Industrielle Chemie
Informatik
Jüdische Studien
Kulturwissenschaften
Kunst
Linguistik und Semiotik
Literaturwissenschaft
Materialwissenschaft
Mathematik
Medizin
Musik
Pharmazie
Philosophie
Physik
Rechtswissenschaften
Sozialwissenschaften
Sport und Freizeit
Technik
Theologie und Religion
Wirtschaftswissenschaften
Veröffentlichungen
Zeitschriften
Bücher
Konferenzberichte
Verlage
Blog
Kontakt
Suche
EUR
USD
GBP
Deutsch
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Warenkorb
Home
Zeitschriften
Materials Science-Poland
Band 34 (2016): Heft 4 (December 2016)
Uneingeschränkter Zugang
First-principle calculations of effective mass of silicon crystal with vacancy defects
Shuying Zhong
Shuying Zhong
,
Musheng Wu
Musheng Wu
und
Xueling Lei
Xueling Lei
| 19. Dez. 2016
Materials Science-Poland
Band 34 (2016): Heft 4 (December 2016)
Über diesen Artikel
Vorheriger Artikel
Nächster Artikel
Zusammenfassung
Artikel
Figuren und Tabellen
Referenzen
Autoren
Artikel in dieser Ausgabe
Vorschau
PDF
Zitieren
Teilen
Online veröffentlicht:
19. Dez. 2016
Seitenbereich:
916 - 923
Eingereicht:
04. Juni 2016
Akzeptiert:
03. Nov. 2016
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2016-0128
Schlüsselwörter
effective mass
,
vacancy
,
silicon
,
first-principles calculations
© Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Shuying Zhong
Institute of Physics and Communication & Electronics, Jiangxi Normal University, Nanchang 330022,
P.R.China
School of Materials Science and Engineering, Nanchang University, Nanchang 330031,
P.R.China
Musheng Wu
Institute of Physics and Communication & Electronics, Jiangxi Normal University, Nanchang 330022,
P.R.China
Xueling Lei
Institute of Physics and Communication & Electronics, Jiangxi Normal University, Nanchang 330022,
P.R.China