Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
Koszyk
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Home
Czasopisma
Journal of Electrical Engineering
Tom 66 (2015): Zeszyt 4 (July 2015)
Otwarty dostęp
Low–Frequency Noise Measurements Used For Quality Assessment Of GaSb Based Laser Diodes Prepared By Molecular Beam Epitaxy
Zdeněk Chobola
Zdeněk Chobola
,
Miroslav Luňák
Miroslav Luňák
,
Jiří Vaněk
Jiří Vaněk
,
Eduard Hulicius
Eduard Hulicius
oraz
Ivo Kusák
Ivo Kusák
| 19 wrz 2015
Journal of Electrical Engineering
Tom 66 (2015): Zeszyt 4 (July 2015)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
19 wrz 2015
Zakres stron:
226 - 230
Otrzymano:
13 lis 2014
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2015-0036
Słowa kluczowe
molecular beam epitaxy
,
excess nois
,
lasers diodes
,
vertical cavity surface emitting
,
gasb substrate
© Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.