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Journal of Electrical Engineering
Volumen 66 (2015): Edición 4 (July 2015)
Acceso abierto
Low–Frequency Noise Measurements Used For Quality Assessment Of GaSb Based Laser Diodes Prepared By Molecular Beam Epitaxy
Zdeněk Chobola
Zdeněk Chobola
,
Miroslav Luňák
Miroslav Luňák
,
Jiří Vaněk
Jiří Vaněk
,
Eduard Hulicius
Eduard Hulicius
y
Ivo Kusák
Ivo Kusák
| 19 sept 2015
Journal of Electrical Engineering
Volumen 66 (2015): Edición 4 (July 2015)
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Publicado en línea:
19 sept 2015
Páginas:
226 - 230
Recibido:
13 nov 2014
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2015-0036
Palabras clave
molecular beam epitaxy
,
excess nois
,
lasers diodes
,
vertical cavity surface emitting
,
gasb substrate
© Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.