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Journal of Electrical Engineering
Band 66 (2015): Heft 4 (July 2015)
Uneingeschränkter Zugang
Low–Frequency Noise Measurements Used For Quality Assessment Of GaSb Based Laser Diodes Prepared By Molecular Beam Epitaxy
Zdeněk Chobola
Zdeněk Chobola
,
Miroslav Luňák
Miroslav Luňák
,
Jiří Vaněk
Jiří Vaněk
,
Eduard Hulicius
Eduard Hulicius
und
Ivo Kusák
Ivo Kusák
| 19. Sept. 2015
Journal of Electrical Engineering
Band 66 (2015): Heft 4 (July 2015)
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Online veröffentlicht:
19. Sept. 2015
Seitenbereich:
226 - 230
Eingereicht:
13. Nov. 2014
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2015-0036
Schlüsselwörter
molecular beam epitaxy
,
excess nois
,
lasers diodes
,
vertical cavity surface emitting
,
gasb substrate
© Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.