Otwarty dostęp

SiN/SiO2 passivation stack of n-type silicon surface

A. El Amrani

A. El Amrani

Research Center in Semiconductor Technology for EnergeticAlgiers, Algeria
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
El Amrani, A.
, 
R. Si-Kaddour

R. Si-Kaddour

Research Center in Semiconductor Technology for EnergeticAlgiers, Algeria
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Si-Kaddour, R.
, 
M. Maoudj

M. Maoudj

Research Center in Semiconductor Technology for EnergeticAlgiers, Algeria
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Maoudj, M.
 oraz 
C. Nasraoui

C. Nasraoui

Research Center in Semiconductor Technology for EnergeticAlgiers, Algeria
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Nasraoui, C.
  
18 paź 2019
SiN/SiO2 passivation stack of n-type silicon surface's Cover Image
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Zacytuj
Pobierz okładkę
Data publikacji: 18 paź 2019
Zakres stron: 482 - 487
Otrzymano: 28 paź 2018
Przyjęty: 23 kwi 2019
DOI: https://doi.org/10.2478/msp-2019-0065
Słowa kluczowe
© 2019 A. El Amrani et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
El Amrani, A.
Research Center in Semiconductor Technology for EnergeticAlgiers, Algeria
Si-Kaddour, R.
Research Center in Semiconductor Technology for EnergeticAlgiers, Algeria
Maoudj, M.
Research Center in Semiconductor Technology for EnergeticAlgiers, Algeria
Nasraoui, C.
Research Center in Semiconductor Technology for EnergeticAlgiers, Algeria
Język:
Angielski
Częstotliwość wydawania:
4 razy w roku
Dziedziny czasopisma:
Nauka o materiałach, Nauka o materiałach, inne, Nanomateriały, Funkcjonalne i inteligentne materiały, Charakterystyka i właściwości materiałów
Kanał RSS czasopisma