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Materials Science-Poland
Volumen 37 (2019): Edición 3 (Septiembre 2019)
Acceso abierto
SiN/SiO
2
passivation stack of n-type silicon surface
A. El Amrani
A. El Amrani
Research Center in Semiconductor Technology for Energetic
Algiers, Algeria
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El Amrani, A.
,
R. Si-Kaddour
R. Si-Kaddour
Research Center in Semiconductor Technology for Energetic
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,
M. Maoudj
M. Maoudj
Research Center in Semiconductor Technology for Energetic
Algiers, Algeria
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Maoudj, M.
y
C. Nasraoui
C. Nasraoui
Research Center in Semiconductor Technology for Energetic
Algiers, Algeria
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Nasraoui, C.
18 oct 2019
Materials Science-Poland
Volumen 37 (2019): Edición 3 (Septiembre 2019)
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Publicado en línea:
18 oct 2019
Páginas:
482 - 487
Recibido:
28 oct 2018
Aceptado:
23 abr 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/msp-2019-0065
Palabras clave
silicon
,
passivation
,
silicon nitride
,
oxide
© 2019 A. El Amrani et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.